ACT-V系列磁控溅射系统

ACT-V系统的腔体垂直放置，这样可利用的空间最大，一般溅射室的直径从13英寸到34英寸，性能指标如下：

  溅射方向可以任意设置，包括向下、向上、水平方向。

  最多可以安装12只靶枪，可以进行直流或射频溅射。

  可以对基片进行加热、冷却、RF偏压、B磁场以及按要求运动。

  真空室可以达到2×10E-8Torr的真空度。

  膜厚均匀性可以达到优于+/-2%在4英寸的基片上。

  手动、半自动或全自动计算机控制。

  离子源及电子井选件 。

ACT-F系列磁控溅射系统

ACT-F系列磁控溅射系统在秉承了ACT-V系列所有优点的基础上，增加了顶盖自动开启的功能：真空室顶盖（连带样品台）与真空室铰链连接，并采用气动装置来开/关，使得顶盖升起时可以倾斜，相对与传统的垂直升降或手动打开的方式，此种方式无需借助任何外界的起重装置就可以非常方便的对样品台进行任何操作， 符合人性化的设计要求，操作省时、省力。

PVDX复合技术镀膜系统

    该系统综合了多种镀膜技术于一身，实现了一机多用，最大地利用了资源，可以做磁控溅射/电子束/热沉积等。